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2N2222

Transistor de alta velocidade de comutação para uso em dc, vhf e uhf. Encapsulado em envóluco do tipo TO-18.

Envólucro TO-18


Características Elétricas

VCEO máx Tensão máxima entre coletor e emissor com base aberta 30V
VCBO máx Tensão máxima entre coletor e base com emissor aberto 60V
ICmáx(dc) Corrente máxima contínua de coletor 800 mA
Pcmáx Potência máxima de dissipação à 25º Celsius 500mW
VCEsat Tensão coletor-emissor com transistor em saturação com Ic=0,15mA e ganho igual a 10 < 0,4V
hFE Ganho de corrente CC com Ic=0,15A e VCE=10V 100 a 300
Ft Freqüência de transição com Ic=20mA e VCE=20V 250MHz

Parâmetros h ( típicos )

>>> Com Ic=20mA, VCE=20V, f = 100MHz <<<
hfe Ganho de corrente AC > 2,5
hie(re) Impedância de entrada (parte real) para f=300MHz < 60 Ohm




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